IPD100N06S403ATMA1
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Infineon Technologies IPD100N06S403ATMA1
| Artikelnummer: | IPD100N06S403ATMA1 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3-11 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Spezifikationen
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-
Infineon Technologies IPD100N06S403ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IPD100N06S403ATMA1.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 90µA Vgs (Max) ±20V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse PG-TO252-3-11 Serie OptiMOS™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 100A, 10V Verlustleistung (max) 150W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10400 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 128 nC @ 10 V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) Grundproduktnummer IPD100N IPD100N06S403ATMA1 Einzelheiten PDF [English] IPD100N06S403ATMA1 PDF - EN.pdf -
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